Компании Qualcomm Technologies и Samsung Electronics представили следующее поколение чипсетов под названием Snapdragon 835.
Qualcomm Snapdragon 835 будет построен по 10-нанометровому техпроцессу Samsung FinFET, в отличии от своих предшественников, выпущенных на 14-нанометровой технологии.
«Использование нового 10-нанометрового узла процессора может позволить нашему новому Snapdragon 835 обеспечивать большую энергосберегающую эффективность и одновременно повысить производительность, что само по себе позволяет нам добавить ряд новых возможностей, которые смогут улучшить восприятие пользователем завтрашних мобильных устройств.»— сообщает Кит Крэссин, старший вице-президент по управлению продуктами Qualcomm Technologies.
Ожидается повышение производительности на 27% и уменьшение энергозатратности на 40% по сравнению с их прошлым поколением — Snapdragon 820 series.
Кроме того, компания Qualcomm объявила о новом поколении технологии быстрой зарядки, получившей название Quick Charge 4, которой предшествует Quick Charge 3.0. С помощью Quick Charge 4 устройство будет заряжаться на 20% быстрее, обеспечивая 5 часов автономной работы всего за 5 минут зарядки. Qualcomm могут утверждать это, основываясь на тестировании данной технологии на батарее в 2750mAh, которая имеет стандартную энергоёмкость для среднестатистического премиум-смартфона на современном рынке.
Более детальную информацию о характеристиках мы можем ожидать в январе, в то время как новые девайсы на базе Snapdragon 835 будут доступны к продаже в начале 2017 года.